يمثل المحث الحلقي من سلسلة AS157 قمة تصميم المغناطيسية عالية التيار، مصمم خصيصًا لمهام تحويل الطاقة وتخزين الطاقة الصناعية الصارمة. يتميز هذا المحث بنواة محسّنة بقطر خارجي 1.57 بوصة، ويوفر التوازن المثالي بين البصمة المادية وقدرة التدفق المغناطيسي.
| المعلمة الفنية | المواصفات القياسية / النطاق |
|---|---|
| تعيين النموذج | سلسلة AS157 للحلقات عالية التيار |
| نطاق الحث (L) | 100 ميكرو هنري - 1.5 مللي هنري (قابل للتخصيص) |
| التيار المقنن (Irms) | 15 أمبير - 40 أمبير (بناءً على ارتفاع درجة الحرارة 40 درجة مئوية) |
| تيار التشبع (Isat) | 20 أمبير - 55 أمبير (بناءً على انخفاض الحث بنسبة 20٪) |
| مقاومة التيار المستمر (DCR) | 5.0 مللي أوم - 45 مللي أوم (يعتمد على اللف) |
| مادة النواة | سيندست (Fe-Si-Al) أو مسحوق الحديد |
| أبعاد النواة (تقريبًا) | القطر الخارجي: 40 مم / القطر الداخلي: 24 مم / الارتفاع: 15 مم |
| تردد التشغيل | 50 هرتز - 200 كيلو هرتز (محسن للترشيح) |
| فئة العزل | الفئة H (180 درجة مئوية) قياسي |
| نوع الطرف | طرف مجرفة (موصل مجرفة) |
| أسلوب التركيب | تركيب الهيكل / توصيل سلك الرصاص |
| درجة حرارة التشغيل | -45 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية (بما في ذلك التسخين الذاتي) |
| معيار الجودة | متوافق مع RoHS و REACH و ISO9001 |
تستخدم سلسلة AS157 نوى مغناطيسية ذات كثافة تدفق عالية (1.0 تيرابايت إلى 1.5 تيرابايت)، مما يسمح للمحث بالحفاظ على قدرة تخزين الطاقة تحت الأحمال الثقيلة. توفر نوى المسحوق انخفاضًا تدريجيًا في التشبع، مما يوفر حاجز أمان لمفاتيح MOSFET في محولات DC-DC. يتم تحقيق مقاومة تيار مستمر منخفضة من خلال استخدام سلك نحاسي كبير الحجم، مما يقلل من الخسائر وتوليد الحرارة.
يتفوق المحث الحلقي AS157 من خلال تكامل المواد المتقدم والتصنيع الدقيق. يتميز الهندسة الحلقية بفجوات هوائية موزعة داخل المادة نفسها، مما يضمن مجالات مغناطيسية موحدة واحتواء كامل.
تشيبسن للإلكترونيات هي شركة مصنعة محترفة متخصصة في المحولات عالية الأداء والمكونات المغناطيسية، مع أكثر من 26 عامًا من الخبرة في التصنيع.
