| الصناعة | تطبيق نموذجي | الحثية النموذجية | النطاق الحالي | تردد التحول | المعايير الرئيسية |
|---|---|---|---|---|---|
| المحول الصناعي للاتصال المباشر | تصفية مخرجات البوك، والزيادة، والمحول المعزول | 33 μH الاسمية | من 1 إلى 10 A | 100 كيلو هرتز إلى 1 ميغاهرتز | الحثية في ظل تحيز التيار المباشر ، تيار التشبع ، تيار RMS ، DCR |
| الأتمتة الصناعية | وحدات PLC، أجهزة التحكم، أجهزة الاستشعار، أجهزة التشغيل | 33 μH | 0.5 إلى 8 أ | 100 كيلو هرتز إلى 1 ميغاهرتز | استقرار الحث، DCR، الكفاءة، EMI |
| الطاقة الشمسية وتخزين الطاقة | نظام BMS، لوحة تحكم الاتصالات، دعم سائق البوابة | 33 μH الاسمية | من 1 إلى 10 A | 100 كيلو هرتز إلى 1 ميغاهرتز | أداء تعصب التيار المباشر، القدرة على التيار الموجة، DCR |
| إلكترونيات شحن الكهرباء | المحولات المساعدة، وحدات الاتصال، أنظمة التحكم | 33 μH | من 1 إلى 15 A | من 200 كيلو هرتز إلى 2 ميغاهرتز | تيار التشبع، تيار RMS، DCR، الأداء الحراري |
| مادة البناء | مرجع قياسي أو خيار مخصص |
|---|---|
| نوع المنتج | محفز طاقة SMD المصبوب |
| العلامة العليا | 330 |
| تفسير العلامة المشترك | 33 μH الحثية الاسمية |
| الهيكل المغناطيسي | جسد مغناطيسي محمي صناعي |
| المواد المغناطيسية | مواد مغناطيسية مركبة خاصة بالتطبيق |
| التلف الداخلي | طلاء النحاس المزخرف |
| نوع المحطة | المحطات المتكاملة للأسطح |
