Conçu pour une conversion de puissance à haut rendement, le Transformateur LLC haute puissance ETD49 190 µH offre une isolation électrique robuste et un transfert d'énergie stable. Doté d'une topologie résonante LLC avancée et d'une conception pratique à fils volants, ce transformateur est optimisé pour l'électronique de puissance haute fréquence exigeante, offrant des performances fiables et une personnalisation complète OEM/ODM.
| Catégorie de paramètres | Nom du paramètre | Spécification standard (ETD49-190 µH) | Options de personnalisation / Gamme OEM |
|---|---|---|---|
| Noyau et mécanique | Type / Matériau du noyau | Noyau ferrite haute fréquence ETD49 (PC40/PC95) | Matériau de noyau personnalisé (par exemple, haute perméabilité, faible perte) et entrefer personnalisé |
| Noyau et mécanique | Dimensions (L x l x H) | Environ 50,0 mm x 45,0 mm x 45,0 mm (facteur de forme standard ETD49) | Bases de montage personnalisées, supports ou conceptions à profil bas |
| Noyau et mécanique | Terminaison / Broches | Conception à fils volants (fils en téflon haute température, P1-P4) + broches de connexion | Calibre de fil personnalisé (AWG), longueur de fil, couleur, longueur de dénudage et configurations de broches |
| Noyau et mécanique | Encapsulation / Enrobage | Imprégné de vernis standard, enveloppé de ruban | Enrobage de résine sous vide pour une conductivité thermique et une résistance aux vibrations supérieures |
| Électrique | Inductance de magnétisation (Lm) | 190 µH (mesuré à 10 kHz, 1,0 V) | Personnalisable de 100 µH à 500 µH en fonction des exigences de fréquence de résonance |
| Électrique | Inductance de fuite (Lk) | Inductance de fuite contrôlée pour la résonance LLC | Inductance de fuite précisément adaptée aux spécifications du contrôleur résonant du client |
| Électrique | Rapport de transformation (Np : Ns : Naux) | Optimisé pour la topologie résonante LLC haute puissance | Rapport de transformation entièrement personnalisable et plusieurs enroulements secondaires |
| Électrique | Fréquence de fonctionnement | 50 kHz - 150 kHz | Optimisé pour les semi-conducteurs à large bande interdite (SiC/GaN) jusqu'à 300 kHz sur demande |
| Électrique | Puissance nominale / Sortie | Sortie haute puissance de 3,0 kW - 5,0 kW | Conception de puissance évolutive jusqu'à 10 kW+ avec configurations de noyaux parallèles |
| Sécurité et thermique | Hi-Pot / Rigidité diélectrique | Primaire vers secondaire : 4000 V CA / 1 mA / 60 s | Isolation renforcée améliorée jusqu'à 5000 V CA pour les applications médicales/haute tension |
| Sécurité et thermique | Système d'isolation | Système d'isolation de classe F (155 °C) ou de classe H (180 °C) | Matériaux d'isolation certifiés conformes UL (classe F/H avec marge) |
| Sécurité et thermique | Plage de température de fonctionnement | -40 °C à +125 °C (Ambiant + Élévation de température) | Plage de température industrielle étendue avec des solutions de gestion thermique personnalisées |
| Sécurité et thermique | Distance de rampant / d'espacement | ≥ 8,0 mm (respecte les distances de sécurité standard) | Ruban de marge personnalisé et ajustements de partition de bobine pour des normes de sécurité strictes |
