سری ترانسفورماتور مسطح با توان بالا ER50 نسل بعدی فناوری قطعات مغناطیسی را نشان میدهد که به طور خاص برای سیستمهای تبدیل توان با وات بالا در محدوده 1 کیلووات تا بیش از 5 کیلووات مهندسی شده است. با جایگزینی سیمپیچهای سیمپیچ سنتی حجیم با ساختار سیمپیچ PCB چند لایه کمارتفاع یا صفحه مسی، ER50 برای الکترونیک قدرت پیشرفته که در آن راندمان، حداقل فضای عمودی و چگالی توان فوقالعاده الزامی است، بهینه شده است.
| پارامتر | مقدار معمول / مشخصات |
|---|---|
| نوع هسته | ER50 (هسته فریت مسطح) |
| ساختار سیمپیچ | PCB چند لایه / باسبار مسی تخت |
| نوع نصب | نصب مستقیم روی PCB / نصب شاسی |
| ابعاد | تقریباً 50.0 میلیمتر × 50.0 میلیمتر × 18.0 میلیمتر (قابل سفارشیسازی) |
| قابلیت توان | 1.0 کیلووات - 5.0 کیلووات+ (چگالی توان بالا) |
| فرکانس کاری | 100 کیلوهرتز - 500 کیلوهرتز |
| راندمان | 99.2% - 99.6% (معمول) |
| Hi-Pot (عایق) | 2.5 کیلو ولت - 4.0 کیلو ولت AC / 1 دقیقه |
| اندوکتانس نشتی | < 0.5% - 1% (فوقالعاده کم) |
| ظرفیت خازنی بین سیمپیچها | کم (بهینه شده برای فرکانس بالا) |
| جنس هسته | فریت منگنز-روی PC44 / PC95 / PC97 |
| Ae (سطح موثر) | 238.0 میلیمتر مربع |
| Ve (حجم موثر) | 16400 میلیمتر مکعب |
| کلاس عایق | کلاس F (155 درجه سانتیگراد) / کلاس H (180 درجه سانتیگراد) |
| دمای کاری | -40 درجه سانتیگراد تا +125 درجه سانتیگراد (شامل افزایش دما) |
| انطباق | RoHS، REACH، IATF16949 (آماده خودرو) |
| نیاز به خنکسازی | هوای اجباری / صفحه خنککننده / هیت سینک |
چشمانداز:
تبدیل شدن به تامین کننده برند جهانی ترانسفورماتور
ماموریت: ایجاد ارزش برای مشتریان و جامعه، رشد با مشتریان و کارکنان
ارزشها: مشتری اول، همکاری تیمی، پذیرش تغییرات، صداقت، خلاقیت و شادی
سوالات متداول فنی برای ترانسفورماتورهای مسطح ER50سوال 1: ترانسفورماتور مسطح ER50 چگونه اتلاف حرارتی را در سطوح توان پیوسته بیش از 5 کیلووات مدیریت میکند و چه استراتژیهای خنکسازی توصیه میشود؟
سیمپیچ PCB درهمتنیده از آنجایی که سیمپیچهای PCB در تماس نزدیک با هسته هستند، گرمای تولید شده توسط تلفات مس به سرعت به سطح هسته هدایت میشود.استراتژیهای خنکسازی: برای کاربردهای 5 کیلووات به بالا، توصیه میکنیم پایه تخت ER50 را مستقیماً روی یک
سیمپیچ PCB درهمتنیده دقیق (که در آن لایههای اولیه و ثانویه در هم تنیده شدهاند)، میتوانیم به مقادیر Lk کمتر از 0.5% اندوکتانس اولیه دست یابیم. این امر باعث کاهش وزوز ولتاژ و اسپایکها در FETهای SiC/GaN میشود، نیاز به مدارهای اسنابر سنگین را کاهش میدهد و راندمان کلی سیستم را افزایش میدهد.
