RM6 یک پلتفرم ترانسفورماتور فرکانس بالا با هسته فریت فشرده است که برای تبدیل توان ایزوله، کوپلینگ سیگنال، درایو گیت و مدارهای برق کمکی طراحی شده است. هندسه هسته RM محصور آن، محافظت مغناطیسی بهبود یافته و ردپای فشرده PCB را فراهم می کند.
این ترانسفورماتور دارای هسته فریت RM، بوبین عایق، پین های متعدد از طریق سوراخ، سیم پیچی های مسی و نوار عایق خارجی است. پارامترهای عملکرد نهایی به توپولوژی مبدل، شکل موج ولتاژ، فرکانس سوئیچینگ، چرخه وظیفه، الزامات عایق، شرایط خنک کننده و افزایش دمای مجاز بستگی دارد.
| صنعت و کاربرد | شرایط عملیاتی معمول | پارامترهای اولویت بندی شده | پشتیبانی سفارشی سازی |
|---|---|---|---|
| سیستم های کنترل صنعتی | منبع تغذیه DC-DC کمکی ایزوله | محدوده ورودی، ولتاژ خروجی، ایزولاسیون، رگولاسیون، افزایش دما | نسبت دور، اندوکتانس، پین اوت، عایق، نصب |
| منابع تغذیه درایو گیت | توان ایزوله برای درایورهای گیت MOSFET/IGBT/SiC | ظرفیت خازنی کوپلینگ کم، ولتاژ ایزولاسیون، رگولاسیون، خروجی های متعدد | توالی سیم پیچی، شیلدینگ، عایق، پیکربندی خروجی |
| تجهیزات مخابراتی | مبدل کم توان ایزوله و توان ارتباطی | راندمان، اندازه فشرده، EMI، DCR، عملیات پیوسته | سیم پیچی با تلفات کم، ردپا، پین اوت، بهینه سازی فرکانس |
| الکترونیک پزشکی | توان کمکی ایزوله و کوپلینگ سیگنال | جریان نشتی، استحکام دی الکتریک، ظرفیت خازنی، قابلیت ردیابی | عایق تقویت شده، شیلدینگ، تست، مستندات |
| سیستم های ذخیره انرژی | BMS، برد کنترل PCS و توان درایو گیت | ایزولاسیون، قابلیت اطمینان، محدوده دما، خروجی های متعدد | عایق تقویت شده، مواد دمایی، پین اوت سفارشی |
| پارامتر | مرجع معمول | وضعیت سفارشی سازی |
|---|---|---|
| پلتفرم هسته | مجموعه هسته فریت RM6 | قابل سفارشی سازی |
| مواد مغناطیسی | فریت MnZn انتخاب شده بر اساس فرکانس، تلفات، دما | قابل سفارشی سازی |
| فرکانس سوئیچینگ | 20 کیلوهرتز تا 500 کیلوهرتز | مشخص شده توسط مشتری |
| محدوده توان | 1 وات تا 30 وات (بسته به شرایط) | تأیید خواهد شد |
| استحکام دی الکتریک | 1.5 کیلو ولت AC تا 5 کیلو ولت AC | مشخص شده توسط مشتری |
| پیکربندی پین | تعداد پین، فاصله، ابعاد، تخصیص | قابل سفارشی سازی |
| اطلاعات مورد نیاز | هدف مهندسی |
|---|---|
| عملکرد ترانسفورماتور | تبدیل توان، درایو گیت، کوپلینگ سیگنال را متمایز می کند |
| توپولوژی مبدل | طراحی مغناطیسی و سیم پیچی را تعیین می کند |
| ولتاژ و جریان ورودی/خروجی | نسبت دور، اندازه هادی، پیکربندی سیم پیچی را ایجاد می کند |
| فرکانس سوئیچینگ و چرخه وظیفه | از انتخاب مواد و محاسبات چگالی شار پشتیبانی می کند |
| الزامات ایزولاسیون | موانع، مواد، خزش، پاکسازی را تعیین می کند |
| عنصر ساختاری | شرح |
|---|---|
| هسته مغناطیسی | هسته فریت MnZn RM6 انتخاب شده بر اساس فرکانس و تلفات |
| بوبین | قالب سیم پیچی عایق با پین های PCB از طریق سوراخ |
| سیم پیچی اولیه | سیم پیچی مسی توسعه یافته بر اساس شکل موج ورودی و اندوکتانس |
| سیم پیچی های ثانویه | خروجی های ایزوله تکی یا چندگانه بر اساس کاربرد |
| پین های PCB | ترمینال های لحیم کاری برای اتصال الکتریکی و مکانیکی |
| کنترل کیفیت | مورد بازرسی |
|---|---|
| هدف بازرسی | تست نسبت دور |
| رابطه مورد نیاز اولیه و ثانویه را تأیید می کند | تست اندوکتانس اولیه |
| اندوکتانس مغناطیس کننده را در شرایط مشخص تأیید می کند | تست اندوکتانس نشتی |
| کوپلینگ و سازگاری مبدل را تأیید می کند | تست استحکام دی الکتریک |
| قابلیت تحمل ایزولاسیون مشخص شده را تأیید می کند | تست افزایش دما |
