الCHIPSEN T50 مغو حلقي ثلاثي الطورتم تصميمه خصيصًا لتحويل الطاقة العالية والأنظمة المرتبطة بالشبكة. تم تصميمه على نوى مغناطيسية عالية النفاذية مع ملف نحاسي دقيق ذو قياس ثقيل وقاعدة تثبيت PCB مقاومة للهب، وهو يوفر تخفيفًا استثنائيًا للضوضاء في الوضع الشائع، والحد الأدنى من فقدان الطاقة، وتوازنًا فائقًا من مرحلة إلى مرحلة. تم تصميم سلسلة T50 لتلبية المعايير الدولية الصارمة للسيارات والصناعية، وهي الحل المغناطيسي المثالي لبيئات التشغيل القاسية حيث يعد الاستقرار الحراري والتعامل مع التيار العالي أمرًا بالغ الأهمية.
| فئة المعلمة | المعلمة الكهربائية الرئيسية | نطاق المواصفات النموذجية | حالة / طريقة الاختبار |
| الحث والتصفية | الحث لكل مرحلة (L) | سم: 0.5 مللي أمبير - 15.0 مللي أمبير | مارك ألماني: 10 درجة مئوية - 200 درجة مئوية | @ 10 كيلو هرتز / 100 كيلو هرتز، 0.1 فولت، 25 درجة مئوية |
| تماثل المرحلة | التوازن من مرحلة إلى مرحلة (|ΔL|) | ≥ 3.0% - 5.0% أقصى انحراف عبر 3 مراحل | اللف الدقيق الآلي |
| الحالية والحرارية | تصنيف التيار المستمر (IRMS) | 15 أ - 80 أ مستمر | ΔT ≥ 40K - 50K ارتفاع في درجة الحرارة عند 25 درجة مئوية |
| هامش التشبع | تيار التشبع (إيسات) | Isat ≥ 1.2 - 1.5 * IRMs (انخفاض L ≥ 20%-30%) | اختبار انحياز التيار المستمر العالي (حتى 100 أمبير) |
| فقدان الطاقة وDCR | مقاومة التيار المستمر لكل مرحلة (DCR) | 1.5 مΩ - 35.0 مΩ (نموذجي) | قياس كلفن 4 أسلاك عند 25 درجة مئوية |
| سلامة الجهد العالي | الصمود العازل (Hi-Pot) | 1500 فولت تيار متردد - 3000 فولت تيار متردد (التسرب أقل من 5 مللي أمبير، 60 ثانية) | من مرحلة إلى مرحلة ومن مرحلة إلى أساسية |
| الطبقة الحرارية | تصنيف العزل الحراري | الفئة F (155 درجة مئوية) / الفئة H (180 درجة مئوية) | أنظمة العزل المعترف بها UL 1446 |
| مادة مغناطيسية | خيارات المواد الأساسية | البلورات النانوية / الفريت السندوست / الفريت عالي التدفق | مصممة للتردد وكثافة التدفق |
| الميكانيكية والتركيب | قاعدة الرأس وإنهاء الدبوس | حامل PCB من خلال الفتحة مع قاعدة فاصلة | قاعدة مصنفة UL94-V0، دبابيس نحاسية ثقيلة |
