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CHIPSEN T50 3상 토로이달 인덕터는 고전력 변환 및 그리드 연결 시스템을 위해 특별히 설계되었습니다. 고투자율 자기 코어에 정밀한 고게이지 구리 권선 및 난연성 PCB 장착 베이스를 기반으로 제작되어 탁월한 공통 모드 노이즈 감쇠, 최소 전력 손실 및 우수한 상간 밸런스를 제공합니다. 엄격한 국제 자동차 및 산업 표준을 충족하도록 설계된 T50 시리즈는 열 안정성과 고전류 처리 능력이 가장 중요한 열악한 작동 환경에 이상적인 자기 솔루션입니다.파라미터 범주주요 전기 파라미터
| 일반 사양 범위 | 테스트 조건 / 방법 | 인덕턴스 및 필터링 | 상별 인덕턴스 (L) |
| CM: 0.5 mH - 15.0 mH | DM: 10 μH - 200 μH | @ 10 kHz / 100 kHz, 0.1V, 25°C | 위상 대칭 | 상간 밸런스 (|ΔL|) |
| 3상 간 최대 편차 ≤ 3.0% - 5.0% | 자동 정밀 권선 | 전류 및 열 | 정격 연속 전류 (Irms) |
| 15 A - 80 A 연속 | 온도 상승 ΔT ≤ 40K - 50K @ 25°C | 포화 마진 | 포화 전류 (Isat) |
| Isat ≥ 1.2 - 1.5 * Irms (L 감소 ≤ 20%-30%) | 고 DC 바이어스 테스트 (최대 100A) | 전력 손실 및 DCR | 상별 DC 저항 (DCR) |
| 1.5 mΩ - 35.0 mΩ (일반) | 4선 켈빈 측정 @ 25°C | 고전압 안전 | 내전압 (Hi-Pot) |
| 1,500 VAC - 3,000 VAC (누설 전류 < 5mA, 60초) | 상간 및 상-코어 간 | 열 등급절연 열 등급 | Class F (155°C) / Class H (180°C) |
| UL 1446 인증 절연 시스템 | 자기 재료 | 코어 재료 옵션 | 나노 결정질 / 센드스트 / 고투자율 페라이트 |
| 주파수 및 자속 밀도에 맞춤 설정 | 기계 및 장착 | 헤더 베이스 및 핀 단자 | 스페이서 베이스가 있는 관통형 PCB 마운트 |
| UL94-V0 등급 베이스, 고게이지 구리 핀 | 2. 주요 특징 | 고전류 및 저손실: | 최대 80A 연속 전류를 처리하며 DCR이 매우 낮아 (최저 1.5 mΩ) 최대 에너지 효율과 낮은 열 방출을 보장합니다. |

