CHIPSEN T50 থ্রি-ফেজ টরয়ডাল ইন্ডাক্টর উচ্চ-ক্ষমতার রূপান্তর এবং গ্রিড-টাইড সিস্টেমের জন্য বিশেষভাবে তৈরি করা হয়েছে। উচ্চ-পারমিয়েবিলিটি ম্যাগনেটিক কোর, নির্ভুল হেভি-গেজ কপার ওয়াইন্ডিং এবং ফ্লেম-রিটার্ড্যান্ট পিসিবি মাউন্টিং বেসের উপর নির্মিত, এটি ব্যতিক্রমী কমন-মোড নয়েজ অ্যাটেনুয়েশন, ন্যূনতম পাওয়ার লস এবং উন্নত ফেজ-টু-ফেজ ব্যালেন্স প্রদান করে। কঠোর আন্তর্জাতিক স্বয়ংচালিত এবং শিল্প মান পূরণের জন্য ডিজাইন করা T50 সিরিজ হল এমন কঠিন অপারেটিং পরিবেশের জন্য আদর্শ ম্যাগনেটিক সমাধান যেখানে থার্মাল স্ট্যাবিলিটি এবং উচ্চ কারেন্ট হ্যান্ডলিং অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ।প্যারামিটার ক্যাটাগরি
| মূল বৈদ্যুতিক প্যারামিটার | সাধারণ স্পেসিফিকেশন রেঞ্জ | পরীক্ষার শর্ত / পদ্ধতি | ইন্ডাকট্যান্স ও ফিল্টারিং |
| প্রতি ফেজ ইন্ডাকট্যান্স (L) | CM: ০.৫ mH - ১৫.০ mH | DM: ১০ μH - ২০০ μH | @ ১০ kHz / ১০০ kHz, ০.১V, ২৫°C | ফেজ সিমেট্রি |
| ফেজ-টু-ফেজ ব্যালেন্স (|ΔL|) | ৩টি ফেজের মধ্যে ≤ ৩.০% - ৫.০% সর্বোচ্চ বিচ্যুতি | স্বয়ংক্রিয় নির্ভুল ওয়াইন্ডিং | কারেন্ট ও থার্মাল |
| রেটেড কন্টিনিউয়াস কারেন্ট (Irms) | ১৫ A - ৮০ A কন্টিনিউয়াস | ΔT ≤ ৪০K - ৫০K তাপমাত্রা বৃদ্ধি @ ২৫°C | স্যাচুরেশন মার্জিন |
| স্যাচুরেশন কারেন্ট (Isat) | Isat ≥ ১.২ - ১.৫ * Irms (L ড্রপ ≤ ২০%-৩০%) | উচ্চ DC-বায়াস টেস্টিং (১০০A পর্যন্ত) | পাওয়ার লস ও DCR |
| প্রতি ফেজ DC রেজিস্ট্যান্স (DCR) | ১.৫ mΩ - ৩৫.০ mΩ (সাধারণ) | ৪-ওয়্যার কেলভিন পরিমাপ @ ২৫°C | উচ্চ-ভোল্টেজ সুরক্ষা |
| ডাইইলেকট্রিক উইথস্ট্যান্ড (Hi-Pot) | ১,৫০০ VAC - ৩,০০০ VAC (লিকেজ < ৫mA, ৬০s) | ফেজ-টু-ফেজ এবং ফেজ-টু-কোরথার্মাল ক্লাস | ইনসুলেশন থার্মাল রেটিং |
| ক্লাস F (১৫৫°C) / ক্লাস H (১৮০°C) | UL ১৪৪৬ স্বীকৃত ইনসুলেশন সিস্টেম | ম্যাগনেটিক ম্যাটেরিয়াল | কোর ম্যাটেরিয়াল অপশন |
| ন্যানোক্রিস্টালাইন / সেন্ডাস্ট / হাই-ফ্লাক্স ফেরাইট | ফ্রিকোয়েন্সি এবং ফ্লাক্স ডেনসিটির জন্য তৈরি | মেকানিক্যাল ও মাউন্টিং | হেডার বেস ও পিন টার্মিনেশন |
| স্পেসার বেস সহ থ্রু-হোল পিসিবি মাউন্ট | UL94-V0 রেটেড বেস, হেভি কপার পিন | ২. মূল বৈশিষ্ট্য | উচ্চ কারেন্ট ও কম লস: |
