Transformateur Planar PQ50 à profil bas et haute fréquence personnalisé, transformateur bobiné à haut rendement pour l'énergie renouvelable
Présentation du produit
Le transformateur planaire de la série PQ50 est un composant magnétique de grande capacité spécialement conçu pour les systèmes de conversion de puissance lourds allant de 2 kW à plus de 6 kW. En combinant la géométrie optimisée du noyau PQ (Power Quality) avec une technologie avancée de bobinage multicouche sur PCB ou de barre omnibus en cuivre, le PQ50 s'impose comme une solution de premier ordre pour les convertisseurs DC-DC haute fréquence et les chargeurs embarqués (OBC). Il est conçu pour remplacer les transformateurs bobinés traditionnels dans les environnements où l'efficacité extrême, le profil bas et la gestion thermique supérieure sont les principaux facteurs de conception.
Spécifications techniques
| Paramètre | Valeur typique / Spécification |
|---|
| Type de noyau | PQ50 (Noyau Ferrite Planaire) |
| Structure de bobinage | PCB multicouche / Barre omnibus en cuivre épais |
| Type de montage | Montage direct sur PCB / Soudure sur châssis |
| Dimensions | Environ 50,0 mm x 50,0 mm x 22,0 mm (personnalisable) |
| Capacité de puissance | 2,0 kW - 6,0 kW+ (densité de puissance extrême) |
| Fréquence de fonctionnement | 100 kHz - 500 kHz |
| Efficacité | 99,3 % - 99,6 % (typique) |
| Hi-Pot (Isolation) | 2,5 kV - 4,5 kV AC / 1 min |
| Inductance de fuite | < 0,1 % - 0,5 % (Ultra-faible) |
| Capacité inter-bobinages | Minimale (optimisée pour SiC/GaN) |
| Matériau du noyau | Ferrite Mn-Zn PC44 / PC95 / PC97 |
| Ae (Surface effective) | 328,0 mm² |
| Ve (Volume effectif) | 23800 mm³ |
| Classe d'isolation | Classe F (155°C) / Classe H (180°C) |
| Température de fonctionnement | -40°C à +125°C (y compris l'élévation de température) |
| Conformité | RoHS, REACH, IATF16949 (prêt pour l'automobile) |
| Exigence de refroidissement | Plaque froide / Refroidissement liquide / Air forcé |
Caractéristiques du produit
- Géométrie PQ50 optimisée : La conception du noyau PQ est mathématiquement optimisée pour fournir le meilleur rapport possible entre le volume du noyau et la surface, garantissant une surface de section transversale effective massive (Ae≈328 mm²). Cela permet un débit d'énergie élevé avec des pertes de noyau minimales.
- Architecture de bobinage planaire : Utilise des pistes de PCB multicouches ou des plaques de cuivre de forte épaisseur, garantissant une faible hauteur de profil (généralement inférieure à 25 mm) tout en maintenant une capacité de transport de courant exceptionnellement élevée.
- Capacité haute fréquence : Optimisé pour des fréquences de commutation entre 100 kHz et 500 kHz, ce qui en fait un partenaire idéal pour les étages de puissance à base de carbure de silicium (SiC) et de nitrure de gallium (GaN) à haute vitesse.
- Sécurité et isolation : Comprend des systèmes d'isolation renforcés capables de supporter des tensions d'isolement allant jusqu'à 4 kV AC, garantissant la conformité aux normes de sécurité mondiales pour les applications industrielles et automobiles.
FAQ technique
Comment la valeur Ae spécifique du PQ50 (328 mm²) impacte-t-elle la densité de flux magnétique (Bmax) et l'efficacité globale dans un convertisseur résonant LLC de 5 kW ?
La grande valeur Ae du PQ50 est son plus grand atout technique. Dans un convertisseur LLC de 5 kW, une valeur Ae plus grande permet au transformateur de fonctionner à une densité de flux magnétique (Bmax) plus faible pour un nombre de spires donné. Cela réduit considérablement les pertes dans le noyau (pertes par hystérésis et par courants de Foucault), qui sont proportionnelles à la densité de flux. En maintenant le noyau plus loin du point de saturation, le PQ50 assure un fonctionnement stable même lors de charges de pointe transitoires, permettant un rendement de 99,5 % et plus tout en minimisant le risque de chauffage inductif.
Quel est l'impact de l'entrelacement des PCB multicouches dans le PQ50 sur l'inductance de fuite (Lk) et les pertes de commutation dans les conceptions haute fréquence basées sur SiC ?
Dans les conceptions SiC à haute vitesse, les paramètres parasites comme Lk sont l'ennemi de l'efficacité. La structure planaire du PQ50 permet un bobinage entrelacé (placement des couches secondaires entre les couches primaires). Ce couplage magnétique étroit réduit l'inductance de fuite à moins de 0,1 % de l'inductance totale. Une Lk plus faible signifie une réduction significative des oscillations de tension et des pics aux bornes des MOSFET SiC lors de la commutation, ce qui permet des vitesses de commutation plus élevées avec un bruit EMI minimal et élimine le besoin de circuits d'amortissement volumineux et dissipateurs.
Applications du produit
- Véhicules électriques (VE) : Le choix principal pour les chargeurs embarqués (OBC) de haute puissance et les convertisseurs DC-DC haute tension dans les VE commerciaux et les transports électriques lourds.
- Systèmes d'énergie renouvelable : Utilisé dans les onduleurs solaires de grande capacité et les systèmes de stockage d'énergie bidirectionnels (ESS) pour la gestion de l'énergie à l'échelle du réseau.
- Infrastructure de centre de données : Alimente les étagères d'alimentation de serveurs de forte puissance et les systèmes UPS nécessitant une fiabilité extrême et des niveaux d'efficacité 80 PLUS Titanium.
- Unités industrielles de haute puissance : Idéal pour les machines de découpe plasma, les réchauffeurs à induction haute fréquence et les alimentations laser industrielles.
Avantages du produit
- Densité de puissance extrême : Fournit jusqu'à 6000 W+ dans un encombrement 40 % plus petit que les unités PQ50 bobinées traditionnelles, permettant des conceptions de modules de puissance ultra-compacts.
- Dissipation thermique supérieure : La surface plane et large du noyau PQ50 facilite un transfert de chaleur rapide. Lorsqu'il est monté sur une plaque froide refroidie par liquide ou un dissipateur thermique à haute efficacité, il maintient une résistance thermique exceptionnellement faible (Rth).
- Cohérence des paramètres inégalée : Comme les bobinages sont gravés ou estampés par des processus automatisés, chaque unité PQ50 produite a des paramètres électriques identiques (Lk, Cp, résistance). Cela élimine la variance de performance souvent constatée dans le bobinage manuel.
- Pertes de cuivre AC réduites : La géométrie plate du conducteur atténue efficacement l'effet de peau et l'effet de proximité à haute fréquence, garantissant que toute la section transversale du conducteur transporte le courant efficacement, contrairement aux alternatives à fil rond.
Forces de l'entreprise
Chipsen Electronics Technology Co., Ltd., fondée en 2000, est un fabricant spécialisé de transformateurs haute fréquence, de transformateurs basse fréquence, d'inducteurs toroïdaux, d'inducteurs de puissance SMD, d'inducteurs à courant super élevé, de bobines d'arrêt et de commutateurs. Chipsen a acquis une solide réputation sur les marchés nationaux et internationaux, notamment en Amérique du Nord et du Sud, en Europe et en Asie du Sud-Est.
En tant qu'entreprise certifiée ISO9001, ISO14001 et IATF16949, nous maintenons une équipe de direction professionnelle engagée dans la production de produits écologiques et qualifiés. Nos produits sont certifiés UL Classe B/Classe F/Classe H, CQC et RoHS, et nous détenons 21 brevets. Ces réalisations découlent de notre solide équipe de R&D, fournissant diverses solutions pour la réduction de la température, l'annulation du bruit et la conductivité du rayonnement couplé.
Vision : Être un fournisseur de marque mondiale de transformateurs
Mission : Créer de la valeur pour les clients et la société, grandir avec les clients et le personnel
Valeurs : Le client d'abord, la coopération d'équipe, l'acceptation du changement, l'intégrité, la créativité et le bonheur
