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エネルギー貯蔵 1500W PSFB EE65 トランスフォーマー 400V から 48V 低漏れ

起源の場所: 中国
ブランド名: CHIPSEN
証明: UL/cUL Class B/F/H, VDE, CQC
モデル番号: EE65
最小注文数量: 1k
価格: $8.5-11.8/pieces
受渡し時間: 7~14営業日(応相談)
支払条件: T/T
供給の能力: 10000個
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仕様
注目すべき 特徴

EE65 高周波トランスフォーマー

,

低漏れ平面変圧器

,

高功率エネルギーシステム トランスフォーマー

出力電流:
50A~150A
インストール:
SMDリード
絶縁電圧:
通常 1500V 以上
芯材:
PC40 / PC44フェライト
周波数範囲:
200 kHz〜700 kHz
パッドのサイズ:
23.5*19.5mm
納期:
-40℃~+125℃
カスタマイズ:
OEM / ODM 承ります
漏れインダクタンス:
一次インダクタンスの < 0.2% ~ 0.5%
デザインをカスタマイズします:
OEMプロジェクトで利用できます
コアの種類:
EE65フェライトコア
定格電力:
モデルによって異なります
周波数範囲:
最大MHz範囲
クリアランス距離:
≧6.0mm
力:
180W
製品の説明
エネルギーシステム用低流出高功率高周波トランスフォーマー EE65

下の値は,国際的な買い手調査の共通参照であり,エンジニアリングの議論の出発点である.それらはすべてのEE65トランスフォーマーのための固定または保証された評価ではない.最終的な電気,磁気,保温,熱,機械,環境,および試験要件は,承認された仕様,図,材料システム,コンバーター条件によって確認されます.顧客サンプル検証プロセス.

産業 典型的な応用 変換器の典型的な入力状態 典型的な出力要求 典型的な権力調査 一般的なスイッチング周波数調査 購入者によって評価される主要パラメータ 利用可能なカスタマイズ
エネルギー貯蔵システム PCS バッテリーインターフェースと補助変換のための二方向 DC DC 段階 48Vから数百ボルトの電池またはDCリンクから派生した高周波スイッチ波形 固定電池側DCリンクまたは補給レール,直直しおよびフィルタリング後 エンジニアリングの議論範囲として約300Wから3000W 通常は20kHzから200kHz 流量バランス磁気化インダクタンス漏れ DCR AC抵抗容量 隔離効率の貢献とホットスポット温度 ターン比 正確なギャップ フィルムまたはリッツ巻き 対称な施工シールド バスバー センサー 隔熱と冷却インターフェース
太陽光発電と風力発電 インバーター・DC・リンク・オプティマイザーと再生可能エネルギー電源モジュールの分離式変換 広範囲再生可能エネルギーの直流バスから派生したスイッチされた波形 顧客によって定義された隔離されたDCリンク電池インターフェースまたは補助出力 調査基準として約300W~3000W 通常は20kHzから200kHz 広い入力フルックス密度 飽和率 漏れ 巻き込み損失 核損失 絶縁 熱循環 フェライトグレードのギャップ 強化された隔離 低容量巻き込みリード バスバー ポッティングと熱センサー
電気自動車の充電装置 搭載された電源モジュールと充電ステーションの電源モジュールにおける主または補助的な分離式変換機 PFCバス電池バスまたは補助電源から派生した高周波ブリッジまたは共鳴波形 単離充電バス制御レールまたはコンバーター電源段階後のサービス出力 プロジェクトの出発点として約300W~3000W 通常30kHzから250kHz 制御された漏れ共鳴行動 AC損失容量 介電強度 温度上昇と繰り返し性 LLC向け漏れ標的 フィルムリッツシールド 強化された隔離端末 バスバー ポッティングと монтаж
緊急電源とUPS バッテリーコンバーターインバーター充電器と高出力補助ステージ 24 V 48 V 72 V 96 V または顧客が定義したDCリンクから派生した切り替え波形 インバーター構造に従って隔離された高電圧または低電圧レール 調査基準として約300W~2500W 一般に20kHzから180kHz 最大電流飽和率 DCR 漏れ損失 熱バランス 起動ストレスのと断絶 中央タップ並行導体 銅製のリッツ 精密ギャップシールド 熱保護線と機械的な強化
データセンターとAIのパワー 隔離された中間バス変換サーバー供給と高密度電源モジュール 48 V バスまたは高電圧 PFC リンクから派生した切り替えた波形 12V 24V 48Vなどの高電流隔離バスや顧客が定義したレール エンジニアリング基準として約300W~2500W 一般に50kHzから300kHz 低リーク 低ACとDC抵抗 容量 核損失 熱経路効率の貢献と一貫性 低プロフィール巻き込み配置 フィルムリッツ パーソナル端末 バスバー コア固定 試験制限を厳しくする
産業用電源 高出力分離式ACDCおよびDCDC変換機のメイントランスフォーマー 直流電源から発信されたスイッチ式興奮,PFCリンク,または顧客が定義したDCバス 調整と調節後の単一の二重または多重分離出力 調査基準として約200W~2000W 通常は20kHzから250kHz ウォルト秒バランス 主要感受性回転比 漏れ DCR AC 損失 隔熱と温度上昇 フェライト材料 空気ギャップ導体システム 巻き込み配列シールド 多出口 隔離端末と冷却
産業用バッテリー充電と形成 充電器 サイクラー 形成ラック AGV 固定電池システム 直線電源または低電圧または高電圧の電池バスから派生したスイッチされた波形 訂正と制御後の顧客指定の充電電圧と電流 一般的な議論範囲として約300W~3000W 一般に20kHzから180kHz RMS とピーク 流量 バランス 銅 損失 漏れ 規制 隔離 熱耐久性 フルウェーブまたはセンタータップされた二次フィルムリッツ並行ワイヤバスバー 熱センサー隔熱と浸透
溶接プラズマと産業用暖房 高電流分離式電源変換とパルス式エネルギー転送 ブリッジ・プッシュ・プルまたは顧客によって定義された高周波刺激 下流直流器と負荷に応じて高電流または高電圧出力 約500Wから数キロワットまで 初期調査のみ 通常は20kHzから150kHz パルス電流飽和性 核損失 接近損失 終止熱隔熱 機械的強度 重い銅製ホイール並列巻き込み バスバー 強化端口 ギャップコア・クランプ・インソレーション 強制冷却インターフェース
電気通信と通信電力 直流電源とバックアップシステム 定数48VバスまたはPFCリンクから派生した高周波スイッチされた波形 孤立した制御された中間バスまたは積載点バス 調査基準として約200W~2000W 一般に50kHzから300kHz DCR AC 抵抗 漏れ容量 EMI 核損失熱経路と生産一貫性 フィルムまたはリッツ構造 交差シールド コンパクト端末 バスバー 低プロフィールの固定と追跡可能性

重要な注意点:トランスフォーマーは,コンバーターによって生成される高周波のスイッチまたはパルス波形によって刺激される.マトリックス内の直流バス値は,源系を記述し,スイッチを入れない直流を直接トランスフォーマー巻きに適用できるという意味ではありません..

主なカスタマイズ可能なパラメータには,コンバータートポロジー,最小および最大バス電圧,巻き込み波形,スイッチ周波数,作業サイクル,連続およびピーク電力,ターン比,磁気誘導力磁気電流,空気の隙間,ピーク電流とRMS回転電流,流量密度の限界,飽和率,漏れ誘導率目標,DCR,AC回転抵抗,回転容量,コア材料,銅製紙,リッツ線,並行線構造,巻き込み配列,静電シールド,絶縁システム,電解試験レベル,スリップ,クリアランス,端末,電線,銅タブ,バスバー,マウント,浸透鍋,温度センサー,冷却方法,温度上昇制限,マーク,および生産試験基準

製品概要

EE65は,エネルギー貯蔵システム,太陽光発電と風力発電設備,EV充電器,産業用UPSシステム,データセンターの電源電池充電機,工業用変換機,その他の要求の高い電源電子機器の用途.

製品の設計は,極低の漏れ誘導力と優れた熱分散効率という2つの主要な目標に焦点を当てています.これらの声明は,普遍的に保証された価値ではなく,開発目標として扱われます正確な漏れ制限,試験頻度,巻き込み状態,冷却環境,温度上昇制限,および受容方法は,承認された仕様書で定義されなければならない.

設計メモ:EE65は,ほぼ同じ大きさのコア・プラットフォームを定義し,固定電圧,電流,電源,周波数,誘導,漏れ,隔離,熱等級を定義していない.最終的な能力は,コンバーターのトポロジーを含む複数の要因に依存する波形,バス電圧,周波数,フェライトグレード,電導体の設計,隔熱システム,冷却条件を切り替える

建設 詳細
建築物 EE65 パーソナライゼーション参照
磁気プラットフォーム EE65フェライトコアプラットフォームまたは承認された同等型は,波形,周波数,フルーックス密度,コア損失窓の利用量,熱要求に応じて選択される.
フェライト材料 交換周波数波形温度・コア損失目標と可用性に応じて選択されたパワーフェライトグレード
核の隙間 磁気化インダクタンスピーク電流,貯蔵されたエネルギー,飽和率周辺に開発された,分散ギャップまたは精密ギャップ構造
ボビンまたはローリング・フォース 標準のボビン・スプリット・ボビン・カスタム・旧式またはボビンなしの構造は,巻き窓の隔熱と機械的ニーズに応じて選択されます
初回巻き込み シングルスプリント・パラレル・センター・タップまたは多面性プライマリ 形状・波形・漏れターゲット
副巻き 調整および調節要件に従って,単一の二重中央タップ並行多出力または高電流低電圧二次
巻き込み導体 円形エマイルされた銅線 並列多糸線 リッツ線 銅ホイール 平面銅または組み合わせた導管システム
巻き方 流出容量隔離と熱優先順位の周りに開発された層間交差したサンドイッチ断面または分離された巻き込み構造
隔熱システム フィルム・テープ・バリア 袖・マージン・コンストラクション スペーサー 鉛・インソレーション 工作電圧・電解試験および熱級に応じて選択
静電シールド 標準モードのノイズ制御が必要な場合,定義された接地終了装置を持つ可決的なプライマリ・ツー・セカンドリー・シールド
外部磁気シールド 任意の流域帯または放浪フィールドの性能が追加の制御を必要とする場合の承認された磁気遮蔽
解雇 PCBピン フライングリード 銅タブ ラグ 端子 接続器 または バスバー 現在の組み立てのクリアランスと使用可能性に応じて選択
コア保持 隙間安定振動輸送と生産処理のために開発されたテープアレッシブ・クランプ支架または顧客承認の固定装置
浸透とポット化 パーシャル・ポッティング・パーシャル・ポッティング・パーシャル・ポッティング・パーシャル・ポッティング・パーシャル・ポッティング・パーシャル・ポッティング・パーシャル・ポッティング・パーシャル・ポッティング・パーシャル・ポッティング・パーシャル・ポッティング・パーシャル・ポッティング
冷却インターフェース 自然コンベクションによる強気冷却プレート 熱パッド・チャシスの導力または顧客が定義した冷却装置
温度監視 任意のサーモスタット サーミストール RTD または 承認された熱検証計画に従って配置された他のセンサー
標識と追跡可能性 カスタムモデル 巻き物識別極度マーク 日付 ロートコード 試験状態と承認された制御計画に基づく顧客ラベル
主要な製品特性
低漏れ誘導性の発達

流出誘導は,巻き込みの交差,より短い電流経路,制御された層配置,密度の磁気結合,一貫した巻き込みの緊張によって減少することができます.そして最適化された終点幾何学.

バランスのとれた漏れ容量と隔離

巻き込み順序,距離,シールド,バリア,断面構造は,スイッチ速度,一般的なモード・ノイズ行動,隔離レベル,安全要件に応じて選択されます.

熱分散型設計

導体の横切断,巻き込みの詰め込み,層分布,終端面積,隔熱熱伝導性,コア接触,空気流路は1つの熱システムとして検討される.

高電流導体オプション

銅ホイル,リッツ線,平ら銅,平行導体,多鎖線,銅タブ,バスバー端末は,RMS電流,DCR,皮膚効果,近距離喪失,および端末温度を管理する.

核と銅の損失制御

フェライトグレード,フルックススイング,周波数,波形,ギャップ,導体鎖の大きさ,ホイール厚さ,巻き込み配置はすべて総損失最適化に影響します.

高電力密度の可能性

EE65 プラットフォームは,高熱管理を最適化した中高電力変換プロジェクトに相当な磁気横断と巻き込み窓を提供します.

申請
  • エネルギー貯蔵PCSと二方向電池変換機
  • ソーラーインバーターと再生可能エネルギーの電源モジュール
  • 風力発電の変換システム
  • 電気自動車の充電装置と孤立した充電台
  • 工業用UPSおよび緊急電源変換機
  • データセンターのサーバーとAIの電源システム
  • 高密度隔離式直流直流変換機
  • 工業用高功率スイッチモード電源
  • バッテリー充電器の形成ラックと試験装置
  • 電気通信の直線器と通信電源システム
  • 産業用モータードライブとロボット工学
  • 溶接用プラズマ装置と工業用暖房装置
  • 鉄道・船舶・輸送用電源電子機器
  • 隔離されたゲート駆動と補助電源システム
  • フルブリッジ・ハーフブリッジ・プッシュ・プル・フォワードと共鳴変換機
  • 顧客特有の高周波隔離とエネルギー転送システム

適用に関する注意事項:切換波形,電圧圧,隔離調整,熱環境,機械装置,適用される基準,顧客認証条件.

品質管理と試験

私たちの包括的な品質管理プロセスは,一貫したパフォーマンスと信頼性を保証します:

入荷 物資 検査

フェライトコア,リボン,巻き形,銅材料,隔熱部品,端末,すべての材料は,承認された制御計画に従って検査されます.

デザインレビュー

トポロジー,電気パラメータ,熱性能,保温要件,生産許容量の総合的なエンジニアリングレビュー

プロセス中の制御

ターン数,巻き方向,隔熱配置,ギャップ制御,製造中の工芸検査を含むプロセス制御.

電気試験

試験には,磁気誘導性,漏れ誘導性,回転比,極性,DCR,介電強度,隔熱耐性,およびアプリケーション特有の検証が含まれます.

なぜ チプセン を 選ぶ の か
アプリケーション特有のカスタマイズ

トポロジー,電圧範囲,周波数,電源プロフィール,電流波形,操作環境の要件に関する開発

低漏れ技術サポート

制御された漏れ標的のための巻き込みの交差,層の配置,結合領域,および終了幾何学の専門家レビュー.

熱設計協力

生産承認の前に,コア損失,銅損失,ホットスポット,冷却方法,収納条件の包括的な評価.

OEMとODMサポート

新しい設計,承認された仕様によるビルド,図面ベースの製造,アプリケーションベースのエンジニアリングレビューのサポート.

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